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碳化硅陶瓷的制备方法
添加时间:2020-06-06
       针对碳化硅陶瓷的讲解,主要包括碳化硅的晶体结构、碳化硅陶瓷的性能和应用、碳化硅陶瓷的制备方法等。
1、碳化硅的晶体结构
      SIC是SI和C两个键组成的共价键化合物,具有金刚石结构。

2、碳化硅陶瓷的性能和应用 
      碳化硅具有抗氧化性、硬度高、耐高温,可以用来制造热交换器、转子等。

3、碳化硅陶瓷的制备方法
      由于碳化硅陶瓷的各种优良性能,因此人们非常认可碳化硅陶瓷,所以对碳化硅陶瓷的开发和研制也是非常多的,下面讲几种制备碳化硅陶瓷的方法。

(1)热压碳化硅陶瓷  虽然在2000度以上的温度和350MPa以上的压力可以使纯SIC热压致密,但是通常还是采用加入添加剂的方法。热压添加剂有两类:一类与碳化硅中的杂质形成液相,通过液相促进烧结;一类是与SiC形成固溶体降低晶界能促进烧结。

(2)常压碳化硅陶瓷 常压烧结碳化硅也命名为无压烧结碳化硅,在烧结到2100度以上的温度下,生成高纯度、高致密的碳化硅陶瓷。

(3)反应碳化硅陶瓷  反应烧结碳化硅又称为自结合SIC。将碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合压成坯体块,加热到1650度左右,通过气相与C反应生成。
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