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    碳化硅陶瓷的三种制备方法介绍

  • 发布时间:2019/12/31      发布人:潍坊奥诺新材料有限公司

           大家知道碳化硅陶瓷有哪三种制备方法吗?下面潍坊奥诺新材料有限公司就来为大家来具体介绍一下碳化硅陶瓷的三种制备方法:

    1、反应碳化硅陶瓷,反应烧结碳化硅又称为自结合SIC。将碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合压成坯体块,加热到1650度左右,通过气相与C反应生成。

    2、常压碳化硅陶瓷,常压烧结碳化硅也命名为无压烧结碳化硅,在烧结到2100度以上的温度下,生成高纯度、高致密的碳化硅陶瓷。

    3、热压碳化硅陶瓷,虽然在2000度以上的温度和350MPa以上的压力可以使纯SIC热压致密,但是通常还是采用加入添加剂的方法。热压添加剂有两类:一类与碳化硅中的杂质形成液相,通过液相促进烧结;一类是与SiC形成固溶体降低晶界能促进烧结。  

           希望以上的内容对大家有所帮助,如果还想知道更多的关于碳化硅陶瓷的知识请继续关注我们的网站哦!



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