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技术参数

    无压烧结碳化硅陶瓷技术参数

    Technical parameters of pressure-free sintered silicon carbide ceramics

    项目
    (item)

    单位
    (unit)

    SSIC

    使用温度
    applicationtemperature

    1900

    硬度Hv
    (Hardness Hv1)

    HRA

    ≥92

    抗压强度
    (compressive strength)

    MPa

    ≥2600

    抗弯强度
    (bending strength)

    MPa

    ≥400

    碳化硅量
    (Sic Content)

    %

    ≥99

    弹性模量
    (modulus of elasticity)

    MPa

    410

    导热系数
    Thermal Conductivity

    W/(M.K)

    100-120

    热膨胀系数 
    (coefficient ofthermal expansion)

    i/℃

    4.0

    气孔率
    (open porosity)

    %

    <0.1

    泊松比
    (Posissons Ration)

     

    0.16


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